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BSZ120P03NS3 G /MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ120P03NS3 G的规格信息
BSZ120P03NS3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS P3

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ12P3NS3GXT SP000709736

供应商BSZ120P03NS3 G
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BSZ120P03NS3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A,40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3.1V @ 73uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO614.48 Kbytes共9页BSZ120P03NS3 G的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
BSZ120P03NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:¥2.32
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BSZ120P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P31:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
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Mouser 贸泽电子
BSZ120P03NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:¥2.321+:¥5.45
10+:¥4.22
100+:¥2.72
1000+:¥2.53
5000+:¥2.32
10000+:¥2.3
25000+:¥2.21
50000+:¥2.2
100000+:¥2.14
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BSZ120P03NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A,40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3.1V @ 73uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道1+:¥4.02
200+:¥1.56
500+:¥1.5
1000+:¥1.48